第二十五讲 ​半导体器件刻蚀

一、讲座详情

演讲题目：半导体器件刻蚀

演讲时间：2018年4月10日10:00

演讲地点：清华大学FIT楼二层报告厅

主讲人：Thorsten Lill 博士   美国泛林集团副总裁

二、主讲人介绍

Thorsten Lill副总裁在泛林集团致力于新兴刻蚀技术和系统的研究。他拥有德国阿尔伯特－路德维希－弗莱堡大学物理学博士学位。在弗莱堡，他研究了C60和C70富勒烯在离子环境中与激光晶体表面的碰撞实验。毕业后，作为博士后研究员在阿贡国家实验室化学系工作，致力于使用二次中性质谱研究激光电离的溅射金属团簇。他已发表了130多篇期刊与会议论文，其中包括以第一作者身份发表《物理评论快报》和《科学》，此外他还在等离子体和离子束源、等离子刻蚀、Atomic Layer Etching、CVD、反应器设计和诊断等领域拥有62项授权的专利。

三、演讲内容

自1980年以来，等离子刻蚀、反应离子刻蚀（RIE）逐渐取代湿式蚀刻成为图形化的半导体器件的主要工艺。到今天，RIE的性能已经达到了难以想象的水平。同时，原子层刻蚀（ALE），自由基，干蒸汽和离子束等蚀刻技术正在逐渐找到他们的应用场景。本次报告中，Thorsten Lill将为我们介绍半导体制造中的干法刻蚀技术。重点是刻蚀中的基本表面过程以及它们对晶元性能的影响。报告将从只使用一种蚀刻物质的简单蚀刻技术开始，如中性、自由基或离子刻蚀。然后，这些技术将融入到循环过程中，从而帮助我们深入研究ALE。同时，我们将会了解如何达到RIE的最高水平即同时控制多种反应气流。反应物设计将涵盖各种蚀刻技术和过程控制。最后，Thorsten Lill副总裁将为我们展望半导体器件刻蚀技术的发展前景。