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第二十五讲 ​半导体器件刻蚀

日期: 2018-04-12
撰稿人:

第二十五讲 半导体器件刻蚀

一、讲座详情

讲题目半导体器件刻蚀

演讲时间:2018年4月10日10:00

演讲地点:清华大学FIT楼二层报告厅

主讲人:Thorsten Lill 博士   美国泛林集团副总裁

二、主讲人介绍

Thorsten Lill副总裁在泛林集团致力于新兴刻蚀技术和系统的研究。他拥有德国阿尔伯特-路德维希-弗莱堡大学物理学博士学位。在弗莱堡,他研究了C60和C70富勒烯在离子环境中与激光晶体表面的碰撞实验。毕业后,作为博士后研究员在阿贡国家实验室化学系工作,致力于使用二次中性质谱研究激光电离的溅射金属团簇。他已发表了130多篇期刊与会议论文,其中包括以第一作者身份发表《物理评论快报》和《科学》,此外他还在等离子体和离子束源、等离子刻蚀、Atomic Layer Etching、CVD、反应器设计和诊断等领域拥有62项授权的专利。

三、演讲内容

自1980年以来,等离子刻蚀、反应离子刻蚀(RIE)逐渐取代湿式蚀刻成为图形化的半导体器件的主要工艺。到今天,RIE的性能已经达到了难以想象的水平。同时,原子层刻蚀(ALE),自由基,干蒸汽和离子束等蚀刻技术正在逐渐找到他们的应用场景。本次报告中,Thorsten Lill将为我们介绍半导体制造中的干法刻蚀技术。重点是刻蚀中的基本表面过程以及它们对晶元性能的影响。报告将从只使用一种蚀刻物质的简单蚀刻技术开始,如中性、自由基或离子刻蚀。然后,这些技术将融入到循环过程中,从而帮助我们深入研究ALE。同时,我们将会了解如何达到RIE的最高水平即同时控制多种反应气流。反应物设计将涵盖各种蚀刻技术和过程控制。最后,Thorsten Lill副总裁将为我们展望半导体器件刻蚀技术的发展前景。

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