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第十八讲 所有你想知道但却不敢问的忆阻器

日期: 2017-09-24
撰稿人:

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一、讲座详情

演讲题目:所有你想知道但却不敢问的忆阻器

演讲时间2017年9月6日14:30-16:00

演讲地点清华大学微电子学研究所新所B312会议室

主讲人:  蔡少棠  加州大学伯克利分校电子与计算机工程系教授

二、  主讲人介绍

Leon Chua以其发明的忆阻器和Chua氏电路而为人们所熟知。他的研究成果已通过众多专业奖项而获得国际公认,包括在欧洲和日本主要大学的16个荣誉博士学位和7个美国专利。他在1974年当选为IEEE的Fellow,在1997年当选为欧洲科学院外籍院士,在2007成为匈牙利科学院外籍成员,并在2012年获得德国慕尼黑工业大学高等研究院荣誉研究员称号。他荣获许多大奖,包括在1974年获得Frederick Emmons奖,2000年获得IEEE Neural Networks Pioneer奖,在2005年获得第一个IEEE Gustav Kirchhoff奖,2006年获得国际Francqui奖(比利时),2010获得Guggenheim Fellow奖,2010-2011年获得Leverhulme Professor奖(英国),和2013年获得欧盟Marie curie Fellow奖。

三、  演讲内容

这次报告阐述和解释了关于忆阻器的众多歧义、误解和错误的陈述。一些将被证明的基本的电路理论特性包括:

1) 所有的非挥发性电阻性开关存储器都是连续的、模拟的记忆系统

2) 非挥发性忆阻器没有直流伏安特性曲线。非挥发性忆阻器可以被用作电阻开关或突触。

这次报告介绍了一个新的基本的和通用的理论,该理论认为所有的非挥发性电阻开关,也被称为忆阻器,必须具有平坦的断电特性,而与器件的内部材料和结构无关。

非挥发性的平坦的断电特性对于理解和解释之前凭经验无法解释的现象非常重要,比如为什么所有非挥发性忆阻器,包括RRAM,相变存储器,铁电存储器,原子开关等的导电性可以通过附加电压或电流及幅度为A,脉宽为w的脉冲(需要满足A和w大于正常数K)在连续范围内进行连续调节。特别的,这个理论表明,可以通过增加脉冲的高度A来提高开关速度,而与器件的结构和材料无关。很多其他被广泛观察到,但是还未解释的现象也可以很容易的得到解释。但是,最重要的是,该理论可以预测那些目前无法进行的实验的结果,并且帮助解决涉及非挥发性忆阻器的那些似是而非的理论。

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