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第十二讲 开发铁电FET:更快和更酷的非易失性逻辑内存

日期: 2017-09-24
撰稿人:

开发铁电FET:更快和更酷的非易失性逻辑内存

一、讲座详情

演讲题目:开发铁电FET:更快和更酷的非易失性逻辑内存

演讲时间2017年6月30日上午9:30

演讲地点清华大学罗姆楼8-208

主讲人:Sharon Hu 美国印第安纳州圣母大学圣母大学计算机科学与工程系教授

二、  主讲人介绍

Sharon Hu,美国印第安纳州圣母大学圣母大学计算机科学与工程系教授。研究兴趣包括低功耗系统设计,电路和架构设计与新兴技术,硬件/软件协同设计和实时嵌入式系统。在这些领域发表论文270多篇,于2001年从设计自动化大会获得最佳论文奖,于2009年在IEEE纳米级架构研讨会上获得最佳论文奖。于2017年担任设计自动化大会副主席。还担任IEEE交易VLSI,电子系统设计自动化ACM交易,嵌入式计算系统ACM交易的副主编,同时也是IEEE的研究员。

三、  演讲内容

CMOS缩放趋势的不可避免的放缓推动了寻找CMOS替代品的研究工作的激增。然而,最近的研究表明,正在研究的许多新兴晶体管(如果用作MOSFET的简单插入式替代)可能只能在最好的情况下实现镜像历史趋势的加速。社区的共识是跨层次努力对于克服CMOS扩展挑战至关重要。这个讲话以围绕特定的新兴器件铁电FET(FeFET)为中心。通过在MOSFET的栅极堆叠中集成铁电材料层来制造FeFET。它是一种非易失性器件,可以像晶体管和存储元件一样工作。FeFET的独特特性可实现高效和低功耗细粒度的内存计算,这对于许多数据分析和机器学习应用是理想的。本演讲将阐述基于FeFET的新型电路,以完成基本的存储器内存操作,三元内容可寻址存储器(TCAM)以及FPGA中的基本元件。还将讨论在GPU系统中使用FeFETTCAM的建筑级别评估。


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