![氧化物纳米电子：器件电路交互和近OFF状态TFT架构]( "氧化物纳米电子：器件电路交互和近OFF状态TFT架构")
一、讲座详情
演讲题目：氧化物纳米电子：器件电路交互和近OFF状态TFT架构
演讲时间：2017年6月13日（星期二）上午10:00
演讲地点：清华大学罗姆楼10-206
主讲人：Arokia Nathan 剑桥大学电子工程系教授
二、 主讲人介绍
Arokia Nathan，剑桥大学电子工程系光子系统与显示专业教授。获加拿大阿尔伯塔大学获得电气工程博士学位。随后在美国LSI Logic公司和瑞士苏黎世联邦理工大学从事博士后工作，之后加入滑铁卢大学，成为加拿大自然科学和工程研究理事会传感器工业研究负责人，随后成为加拿大纳米级柔性电路研究负责人。2001年获得加拿大自然科学和工程研究理事会E.W.R. Steacie研究人员奖。2006年，担任英国伦敦大学学院伦敦纳米技术中心纳米技术住友公司研究中心负责人，获得皇家学会的Wolfson研究优异奖。曾任瑞士苏黎世联邦理工大学物理电子实验室和英国剑桥大学工程系访问教授。在传感器技术和CAD以及薄膜晶体管电子学领域发表500多篇论文，是4本书的共同作者。拥有超过60项专利，单独或联合创立了四家校衍生公司。此外，Arokia Nathan教授在多家单位担任技术委员和编委职位。英国特许工程师、英国工程技术研究所、美国IEEE研究员，IEEE 电子器件协会杰出讲座人。
三、 演讲内容
与普遍存在的硅薄膜技术相比，氧化物半导体因其宽带隙而带来的高透明度和低关断电流，正在成为未来电子的关键材料。这次会议将回顾新一代从大面积电子到新兴物联网的氧化物应用。虽然氧化物晶体管继续发展，但是生产具有更高迁移率、较低阈值斜率和较低阈值电压的器件，实际电路受到与不均匀性、电学和照明引起的不稳定性，以及温度依赖性有关问题的限制。本次讲座将讨论关键设计注意事项，借此说明如何处理设备电路的相互作用以及如何实施补偿方法。特别地，在物联网的可穿戴设备相关的新兴应用领域，寻求低功耗的技术非常引人注目。在低电压和超低功耗的关键要求的驱动下，我们将在OFF状态下讨论薄膜晶体管的工作。