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第九讲 下一代存储器和后冯诺依曼计算的离子型和氧化还原忆阻器

日期: 2017-09-24
撰稿人:

下一代存储器和后冯诺依曼计算的离子型和氧化还原忆阻器

一、讲座详情

演讲题目:下一代存储器和后冯诺依曼计算的离子型和氧化还原忆阻器

演讲时间2017年5月26日上午10:30-12:00

演讲地点清华大学微电子所新所312

主讲人:IIlia Valov 博士  德国Juelich研究中心、亚琛工业大学首席研究员 

二、  主讲人介绍

Ilia Valov博士,德国Juelich研究中心、亚琛工业大学首席研究员,研究领域为电化学,包括纳米、亚纳米物理化学现象,如阻变器件、存储器、和能量转换器件中的表面效应、界面效应、点缺陷效应以及质量和电荷传输等。Ilia Valov博士担任多家期刊杂志的审稿人,包括Nature、Science、Nature Journals、Wiley、Elsevier、IEEE、AIP、RSC、IOP、ACS等,并担任纳米电化学、忆阻器等相关期刊的客座编辑。发表80余篇文章、撰写2章书籍、拥有6份专利,H影响因子为26。

三、  演讲内容

基于氧化还原反应的忆阻器作为纳米产业的新型非易失存储器,满足了绿色IT低能耗、高操作速度、集成密度、可微缩性良好以及可靠性良好等需求,在过去十年中得到了快速发展。最近研究显示,忆阻器可应用领域具有多样性的特点,比如可以应用于类脑应用、替代性计算、逻辑计算以及选择器元素,这些发展得益于系统功能源于忆阻器单元电化学本质的。本次讲座将从微观角度对忆阻器的功能进行讲解。这里可以看到不同的离子(包括阳离子和阴离子)通过移动和电化学转换参与了阻变过程。并且,进一步讨论湿度在ECM、VCM忆阻器中的效果及其重要性,另外,不同电极材料在电催化活性和钝化行为方面的影响也会重点表明。最后,将向大家展示纳米电池对类脑应用的影响。


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