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第八讲 非易失性存储器用自旋轨道转矩材料的现状与未来

日期: 2017-09-24
撰稿人:

非易失性存储器用自旋轨道转矩材料的现状与未来

一、讲座详情

演讲题目:非易失性存储器用自旋轨道转矩材料的现状与未来

演讲时间2017年5月4日周四下午3:00

演讲地点清华大学罗姆楼10-208

主讲人:Prof. Kim Young Keun 韩国高丽大学材料科学与工程系教授

二、主讲人介绍

Kim Young Keun教授,自2000年起担任高丽大学材料科学与工程系教授,曾获得首尔国立大学冶金工程学士学位和硕士学位,麻省理工学院材料科学与工程博士学位。在就读大学之前曾在美国的昆腾公司和韩国的三星电子机械公司工作。 2008年至2011年担任韩国大学研究与商业基金会主管,负责管理大学研究经费、知识产权和技术转让。2012年任韩国教育、科学与技术监督咨询委员会的咨询成员。曾任韩国金属与材料研究所(KIM)董事会成员。目前,任职旋转轨道材料中心主任,并且是“亚洲磁性学会联盟理事会(AUMS)”科学报告和IEEE交易学报编委会成员,国际先进磁性材料与应用研讨会指导委员,担任韩国磁学学会(KMS)商务副总裁,韩国科学技术研究院(KAST)的研究员。发表超过230篇同行评议的期刊论文,发明60多项注册专利。研究范围涉及包括用于生物医学和磁记忆及应用的新型薄膜和纳米结构材料开发。

三、演讲内容

目前,鉴于在磁性随机存取存储器(MRAM)等的应用前景,通过高速、低功耗的电流转换磁化方向已经引起人们的关注。近期,在不同的非磁体(NM)/铁磁体(FM)/氧化物三层结构(比如MgO覆盖的Pt/Co或W/CoFeB结构)中发现了一种新的转换原理,在这种结构中,平面内的电流注入诱导垂直极化层的磁化反转。这种转换被认为是自旋轨道力矩(SOT)导致的。因此,在全球范围内,大量的研究工作正在追求探索其底层的物理原理,同时寻找新的能展示出高SOT效率的FM/NM结构的材料系统。对于高密度存储器应用来说,存在与材料和加工有关的各种工程问题。本次讲座将讨论MRAM和SOT材料研究的现状和未来的方向。

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