北京清华大学高精尖研究中心
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一、讲座详情演讲题目:基于新型存储的高能效智慧电子电路与系统的设计挑战演讲时间:2018年7月2日 10:00-11:00演讲地点:清华大学罗姆楼 5-206主讲人: Meng-Fan (Marvin) CHANG  中国台湾清华大学 教授二、主讲人介绍Dr. Chang is a full Professor in the Dept. of Electrical Engineering of Tsing Hua University, Taiwan, China. Dr. Change obtained considerable practical experience before joining Tsing Hua University, Taiwan, China in 2006, having spent more than 10 years working in industry.Between 1997 and 2006, Dr. Chang worked in the development of SRAM/ROM/Flashmacros/compilers at Me...
发布时间: 2018 - 07 - 04
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一、讲座详情演讲题目:Emerging Brain Science and Its Ethical Issues演讲时间:2018年5月29日上午9:30演讲地点:清华大学精仪系4304主讲人: 小泉英明 中国工程院外籍院士二、主讲人介绍小泉英明(Koizumi Hideaki),1971年获东京大学学士学位,1976年获东京大学理学博士学位。现为中国工程院外籍院士、国际工程与技术科学院理事会主任、日本工程院副院长、日本科学委员会委员、日立公司研究员兼公司管理人员。在新的跨学科心脑科学领域是全球公认的早期支持者和主要提倡者。
发布时间: 2018 - 06 - 01
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一、讲座详情演讲题目 : Efficient and resilient Machine learning in edge computing演讲时间:2018年5月25日14 : 00演讲地点:清华大学微电子学研究所B314主讲人: 蒋力  上海交通大学 计算机科学与工程系副教授二、主讲人介绍蒋力是上海交通大学计算机科学与工程系副教授。2007年,他获得上海交通大学计算机科学与工程学士学位,在2010年和2013年获得香港大学计算机科学与工程专业硕士与博士学位。他曾获得ICCAD最佳论文提名、ATS 2014最佳博士论文奖、 TTTC’s E. J. McCluskey 博士论文奖提名。目前,他致力于新兴技术计算机架构与应用、设计自动化与机器学习、硬件系统稳定性与性能提升。三、演讲内容ReRAM等新兴器件能有效地加速近似计算等多种基于DNN的应用。然而,在器件层面上,这些新兴的器件受限于内在缺陷和制程变动等因素良率欠佳。另一方面,在应用层面上,复杂的数据分布不仅会导致故障,还会影响加速器的调用。为应对上述的问题,此次讲座从提高基于ReRAM加速器的良率与顺应力的应用方案入手,介绍一系列提升基于DNN近似计算的新颖的训练方法。
发布时间: 2018 - 05 - 29
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一、讲座详情演讲题目:近似计算:硬件设计的新维度演讲时间:2018年5月18日上午10:00-12:00演讲地点:清华大学信息科学技术大楼1-415主讲人: 胡江  德克萨斯农工大学电气与计算机工程系  教授二、主讲人介绍胡江于1990年毕业于浙江大学光学仪器工程系,1997年在美国明尼苏达大学获物理硕士学位,2001年在明尼苏达大学获得电气工程博士学位。2001至2002年,在IBM微电子部工作。现为德克萨斯农工大学电气与计算机工程系教授和研究生处主任。主要研究方向包括:集成电路设计自动化,计算机硬件系统资源管理和优化,近似计算和机器学习计算加速。曾获得ACM/IEEE设计自动化会议最佳论文奖,IBM发明成就奖,IEEE/ACM国际计算机辅助设计会议最佳论文奖。曾担任ACM国际物理设计会议主席,IEEE电路计算机辅助设计学刊和ACM电子设计自动化学刊的编辑。被评为洪堡学者和IEEE会士。三、演讲内容在很多实际计算应用中,特别是图像和音频处理,偶尔的小计算误差不会对结果造成重大影响。在设计中有意地引入这样的误差可以提高计算速度或降低功耗。本场讲座具体介绍近似计算基础、如何在高层次综合中考虑近似计算、可重构近似计算电路的设计,以及近似JPEG译码器的设计。
发布时间: 2018 - 05 - 18
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一、讲座详情演讲题目:创新:打开摩尔定律未来之门的钥匙演讲时间:2018年5月9日上午15:30 – 16:30 演讲地点:清华大学罗姆楼5-206主讲人: Tsu-Jae King Liu  加利福尼亚大学电子工程与计算机科学系  教授二、主讲人介绍Tsu-Jae King Liu教授在加州大学伯克利分校担任学术、空间设计和国际合作副教务长。同时,她还是伯克利分校电机工程和计算机科学系TSMC杰出微电子学教授。她最著名的成就为研发运用于集成电路和微系统的多晶硅锗薄膜技术,以及参与研发被广泛运用于当今最先进的微型处理器芯片的三维FinFet晶体管设计。Liu教授曾获得众多奖项,其中包括the IEEE Kiyo Tomiyasu Award (2010)纳米级MOS晶体管、存储器、MEMs器件贡献奖,英特尔纳米科技杰出研究者大奖(2012),半导体产业协会杰出研究奖(2014),SRC亚里士多德奖(2016)。迄今为止,她已发表了超过500篇论文,同时还拥有90项专利,另有70项专利尚在申请中。Liu教授是IEEE会士,美国国家工程学院选任成员,美国国家发明家学会研究员。在此之前,她曾担任伯克利分校工程学院副院长以及EECS系主任。除此之外,她还担任过英特尔公司董事会成员,并在 Xerox Palo Alto研究中心与 Synopsys公司担...
发布时间: 2018 - 05 - 14
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一、讲座详情演讲题目:半导体器件刻蚀演讲时间:2018年4月10日10:00演讲地点:清华大学FIT楼二层报告厅主讲人:Thorsten Lill 博士   美国泛林集团副总裁二、主讲人介绍Thorsten Lill副总裁在泛林集团致力于新兴刻蚀技术和系统的研究。他拥有德国阿尔伯特-路德维希-弗莱堡大学物理学博士学位。在弗莱堡,他研究了C60和C70富勒烯在离子环境中与激光晶体表面的碰撞实验。毕业后,作为博士后研究员在阿贡国家实验室化学系工作,致力于使用二次中性质谱研究激光电离的溅射金属团簇。他已发表了130多篇期刊与会议论文,其中包括以第一作者身份发表《物理评论快报》和《科学》,此外他还在等离子体和离子束源、等离子刻蚀、Atomic Layer Etching、CVD、反应器设计和诊断等领域拥有62项授权的专利。三、演讲内容自1980年以来,等离子刻蚀、反应离子刻蚀(RIE)逐渐取代湿式蚀刻成为图形化的半导体器件的主要工艺。到今天,RIE的性能已经达到了难以想象的水平。同时,原子层刻蚀(ALE),自由基,干蒸汽和离子束等蚀刻技术正在逐渐找到他们的应用场景。本次报告中,Thorsten Lill将为我们介绍半导体制造中的干法刻蚀技术。重点是刻蚀中的基本表面过程以及它们对晶元性能的影响。报告将从只使用一种蚀刻物质的简单蚀刻技术开始,如中性、自由基或离子刻...
发布时间: 2018 - 04 - 12
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一、讲座详情演讲题目:关联氧化物纳米电子学演讲时间:2018年3月30日下午3:30演讲地点:清华大学理科楼B315主讲人:程光磊   中国科技大学物理学院  教授二、  主讲人介绍程光磊教授本科毕业于中国科技大学近代物理系,2011年在美国匹兹堡大学取得博士学位,2011-2014年在匹兹堡大学做博士后研究,2014-2016年被聘为匹兹堡大学物理系与匹兹堡量子研究所的研究助理教授。2016年秋入选中组部青年千人计划到中国科技大学物理学院任职。其主要研究方向是氧化物纳米电子学与低温扫描探针显微学。三、演讲内容关联氧化物纳米电子学结合了关联氧化物物理学与半导体纳米电子学两个领域,为新近发展起来的交叉领域。在这个报告中,我会首先介绍关联氧化物纳米电子学的背景,然后用两个例子来阐述这个领域的研究特性。在第一个例子中,我会介绍我们在铝酸镧/钛酸锶(LAO/STO)界面上制备超导单电子晶体管,并观测到了超导外电子配对的实验证据[1],验证了一个悬浮半个世纪的理论。从而阐明纳米器件为研究电子关联性提供了重要工具。在第二个例子中,我会着重介绍氧化物电子/电子对波导中的量子输运,阐明电子关联性丰富了纳米器件的特性[2]。最后我会介绍最近在这个领域中我们取得的一些进展,包括可调的电子-电子相互作用[3]与氧化物界面量子振荡的一维根源性[4]。[1]...
发布时间: 2018 - 04 - 06
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一、讲座详情演讲题目:面向极端规模和新兴技术中的DFx设计演讲时间:2017年12月21日 11:00-12:00演讲地点:清华大学罗姆楼 5-206主讲人:David Z. Pan, 德克萨斯大学奥斯汀分校电子与计算机工程二、  主讲人介绍David Z. Pan在1992年获得北京大学物理学学士学位,2000年获得加州大学洛杉矶分校电脑科学博士学位。2000年至2003年期间,他在IBM T. J. Watson Research Center担任研究员职务。目前,他是德克萨斯大学奥斯汀分校电子与计算机工程系工程基金会教授。他著有超过300篇期刊文章和会议文献,拥有8项美国专利,辅导过超过20名已在学术和商业机构担任重要职务的博士研究生。他曾在许多顶尖的期刊编辑组与学术会议委员会中担任领导职务。此外,他还获得过许多学术奖项,包括SRC卓越技术奖,14项最佳论文奖,DAC Top 10论文作者奖,ASP-DAC频繁引用作者奖,ACM研究亮点传播奖,ACM/SIGDA 杰出新教师奖,NSF CAREER奖, NSFC海外及港澳学者合作研究奖,三次获得SRC 发明者认可奖,四次获得IBM教师奖,UCLA工程系杰出青年校友奖,德克萨斯大学奥斯汀分校 RAISE优秀教师奖,以及许多国际CAD竞赛奖。他是IEEE和SPIE会士。三...
发布时间: 2018 - 03 - 09
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一、讲座详情演讲题目:成为美国电子电气工程师协会会士的必经之路演讲时间:2017年12月8日10:00-11:00 演讲地点:清华大学罗姆楼 5-206主讲人:连勇,新加坡工程学院院士,美国电气和电子工程师协会(IEEE),IEEE电路和系统协会会员与下任主席,IEEE委员会成员二、  主讲人介绍连勇博士在1984年毕业于上海交通大学经济管理学院,获得学士学位。1994年在新加坡国立大学(NUS)获得电子工程系博士学位。他在产业界工作9年后,于1996年正式加入新加坡国立大学,并在2011年成为电子和通信工程系的第一位教务长讲座教授。其研究领域包括低能耗技术、连续时间信号处理、生物医学电路和系统以及快速信息处理算法。迄今为止,他已获得来自多个机构超过3000万美元的研究经费。连博士曾获得奖项20余项,其中包括1996年IEEE电路和系统协会论文年度最高奖Guillemin-Cauer大奖,2008年IEEE通信协会年度多媒体通信最佳论文奖,2011年新加坡工程院杰出工程成就奖,2012年新加坡国立大学工程院最佳科研奖,2013年华源会和陈陈嘉庚国际协会杰出贡献奖, 2014杨振宁新移民杰出科技奖,2015年第二十届国际低功耗电子设计大会最佳设计奖。同时,他还分别在2009年和2010年获得新加坡国立大学年度优秀教师奖。连博士是IEEE电路和系...
发布时间: 2017 - 12 - 21
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一、讲座详情演讲题目:柔性及可延展射频电子器件系统演讲时间:2017年11月22日10:30演讲地点:清华大学FIT楼二层报告厅主讲人:Richard A. Gottscho 美国泛林集团执行副总裁兼首席技术官二、  主讲人介绍Richard和他的全球团队正在将泛林集团的技术愿景结合在一起,追求颠覆性技术,以便在性能和生产力方面实现进一步改进,并为客户提供更多的机会。自1996年1月加入公司以来,他担任过各种董事和副总裁职务,最近担任全球产品集团负责人。加入泛林集团之前,Richard曾在贝尔实验室任职15年,主要负责电子材料、电子封装和平板显示器研究部门。他已获得美国麻省理工学院和宾夕法尼亚州立大学物理化学的博士学位和学士学位。2016年,Richard获得美国国家工程院院士。三、  演讲内容在集成电路制造过程中,在纳米尺度结构的行程过程中,薄膜的沉积和刻蚀越来越重要和关键。由于特征尺寸缩小至3纳米及以下,需要沉积和蚀刻技术来提高光刻的能力,这仅仅是制造顺序的第一步。同样,随着器件尺寸在垂直方向减小,例如在三维NAND和交叉点阵相变存储器中,复杂结构的制造更多地依赖于沉积和刻蚀方面的技术进展,而不是靠光刻技术提升。具体来说,原子层沉积(ALD)和原子层刻蚀(ALE)是多步过程,用于在需要的地方放置和去除超薄层材料。在本次讲座中,我...
发布时间: 2017 - 11 - 24
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一、讲座详情演讲题目:先进ADC设计技术演讲时间:2017年11月9日10:00演讲地点:清华大学罗姆楼10-206主讲人:Nan Sun, 德克萨斯大学奥斯汀分校电子与计算机工程系副教授二、 主讲人介绍Nan Sun 现任德克萨斯大学奥斯汀分校电子与计算机工程系副教授。2006年,他以全年第一名的成绩毕业与于清华大学获得荣誉学士学位,并同时获得杰出本科论文大奖。2010年,他在哈佛大学获得博士学位。孙博士以the AMD Development Chair的教授身份受聘于德克萨斯大学。2003,获得NSF Career Award大奖,2015年获得由德克萨斯大学奥斯汀分校颁发的杰克·基尔比研究奖。在2003年、2006年和2007年,他还分别获得Samsung Fellowship,Hewlett Packard Fellowship,杰出模拟器件学生设计师奖。2008年到2010年,他连续三年获得哈佛教学大奖。此外,他还组织参与了IEEE定制集成电路大会和亚洲固态电路大会。Nan Sun还担任IEEE Transactions on Circuits and Systems – I: Regular Papers的副编辑职务。三、演讲内容在本次讲座上会像大家展示我们在先进ADC设计技术研究方面最新进展,包括混合噪声整形SAR ADC,具有闪烁码校正功能的高...
发布时间: 2017 - 11 - 13
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