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中心在电控磁效应的研究方面取得进展

日期: 2017-03-06
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 近期,中心宋成教授等人在材料领域著名学术期刊Progress in Materials Science发表题为Recent progress in voltage control of magnetism: Materials, mechanisms, and performance的文章,对电学调控磁性领域的近期进展进行综述。

 

中心在电控磁效应的研究方面取得进展

图为铁磁/铁电薄膜界面电子轨道开关与物理性能的门电压调控

 

存储器是现代集成电路中最基本、最重要的部件之一,其性能是评价微电子技术水平的重要指标。随着产业发展和需求提升,基于材料磁学性能和电学性能的存储器已得到广泛应用。然而,基于磁场的磁记录擦写能耗仍然偏高,基于自旋转移力矩的新一代磁随机存储器进行磁信息写入的临界自旋极化电流密度仍居高不下,与相应半导体工艺水平的晶体管所能承受的最大电流密度仍存在一定差距。因此,亟需发展能耗更低的信息存储技术。

电控磁效应是利用外界电场的作用来调控材料的磁学特性,进而达到数据存储的目的。这个过程中,磁性的改变不需要外磁场,整个过程也没有电流通过(门电极只是提供电场),可以很大程度上地降低能耗。因此,它的出现有望极大推动高速、高密度、低能耗和非易失性存储器的发展。

 

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