北京清华大学高精尖研究中心
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News 中心动态
4月25日,清华大学副校长、北京未来芯片技术高精尖创新中心主任尤政院士,在清华大学工字厅会见了韩国SK海力士副总裁姜有锺一行,双方就中心与海力士建立产学研合作关系进行了交流探讨。 图一:清华大学副校长尤政与SK海力士副总裁姜有锺就产学合作进行交流 会谈中,尤政对姜有锺一行表示欢迎,高度评价了SK海力士在半导体研发和市场开拓方面的成就。此外,他还介绍了中心在产学合作方面的实施情况,表示希望双方未来能够在存储器和人工智能芯片的研发等方面加强合作。姜有锺向尤政对双方交流与合作给予的支持表达感谢,并介绍了SK海力士在全球半导体行业的优势地位、在华投资等情况。他还赞赏了清华大学在产学联合研发方面的卓越成果,期待将来与中心建立优势互补、互惠互利、合作共赢的战略研发关系。   图二:清华大学副校长尤政一行与SK海力士代表团在会后合影留念 会晤后,SK海力士代表团还参观了北京市未来芯片高精尖创新中心,并与中心负责人以及研发人员进行了友好交流。 SK海力士半导体是全球领先的存储器制造商,致力于生产以DRAM、NAND Flash & CIS非存储器为主的半导体产品。SK海力士是世界第二大DRAM制造商,并于2007年成长为世界第六大半导体企业。目前在韩国有一条8英寸晶圆生产线和两条12英寸生产线,在中国无锡有一条已经投入使...
发布时间: 2018 - 04 - 26
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为满足中心国际化发展的需要,中心特别成立国际顾问委员会,诺贝尔奖得主Shuji Nakamura与UCLA杰出教授Kang L. Wang共同担任委员会主席,委员均为芯片领域国际知名学者。国际顾问委员会作为具有国际水准的顶尖智囊,是中心国际化发展的重要保障。
发布时间: 2018 - 02 - 05
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12月18日-20日,第二届未来芯片国际论坛在清华主楼后厅举行。集成电路和智能芯片架构、算法、应用等领域的80多位国际知名专家学者, 20多位美国电子电气工程师协会会士(IEEE Fellow)等齐聚清华,共同探讨智能芯片在未来发展的前景。清华大学副校长、北京未来芯片技术高精尖创新中心主任尤政,微纳电子系主任、微电子所所长魏少军共同担任会议主席。会议吸引了国内外400多名学者、学生参加。第二届未来芯片国际论坛现场。 本届未来芯片国际论坛由北京未来芯片技术高精尖创新中心和清华微电子所联合主办,主题是“智慧芯片·智慧世界”(Smart Chips, Smart World)。        尤政在代表清华大学及未来芯片技术高精尖创新中心致辞时说,党的十九大报告指出“推动互联网、大数据、人工智能和实体经济深度融合”,国务院印发了《新一代人工智能发展规划》,推动人工智能的发展已上升到国家战略高度,关于智能芯片的研讨具有前瞻性战略性意义。  尤政在开幕式上致辞。清华大学计算机系教授、中国科学院院士张钹与魏少军分别做了题为“人工智能与未来芯片”以及“软件定义芯片——智能芯片的创新架构”的专题报告。随着信息社会不断向智能化方向发展,智能芯片已成为智能社会的重要载体和核心技术。目前,学术界和工业界都在积极探索智能芯片的架构创新,...
发布时间: 2017 - 12 - 28
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6月19日,清华大学第一届未来芯片高精尖博士生论坛在电子工程馆举行,清华大学副校长、北京市未来芯片技术高精尖创新中心主任尤政院士出席论坛并致辞。来自清华大学精仪系、微纳电子系、电子系、物理系、计算机系、材料学院等院系以及北京市兄弟高校相关院系共计一百多名博士生参加了论坛。尤政致辞。 尤政在致开幕辞时表示,举办未来芯片高精尖博士生论坛意义重大,希望论坛能够为校内外的芯片研究领域的优秀博士生们搭建一个学术交流、展现自我的平台,推动学术交流合作,促进跨学科交叉融合。同时,尤政还结合当前博士生培养现状,对与会博士生提出三点希望:一是要坚持学术理想,力戒浮躁,力倡务实;二是要拓宽学术视野,积极参加跨学科学术交流;三是要勇于学术创新,敢于挑战权威,为国家创新发展、人类科技进步贡献力量。报告环节。在论坛主题报告环节,与会博士生围绕着智能感知微系统芯片、非易失处理器与柔性芯片、异构融合类脑计算芯片、基于新型忆阻器阵列的电子突触、高能效神经网路加速芯片、拓扑绝缘体等领域的相关议题,汇报了自己的研究成果和学术心得。相关领域的专家学者进行了精彩点评,与会师生积极提问,会场气氛十分热烈。论坛随后进行了学术海报展示,30名博士生们在张贴的海报前讲解了自己的最新研究成果,吸引了众多师生驻足观看。最后,马力创业投资有限公司总裁邰志强在论坛闭幕式上发言,鼓励同学们再接再厉,取得更为优秀的研究成果。海报展...
发布时间: 2017 - 06 - 21
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2016年12月13日-14日,中心在清华大学信息科学技术大楼主办“未来芯片2016:设计自动化的挑战与机遇”高端论坛。中心主任尤政院士担任会议组委会主席,清华大学微电子所所长魏少军、ACM SIGDA主席Vijaykrishnan Narayanan、IEEE CEDA主席Shishpal Rawat、DAC主席Michael McNamara共同担任大会主席。本次国际研讨会嘉宾阵容强大,包括12位ACM SIGDA, IEEE CEDA, 以及DAC的执行委员,8位ACM/IEEE杂志主编,18位IEEE协会会士,6位ACM协会会士等27名国际顶尖专家学者以及100多位国内相关高校、政府、企业人士。以此次论坛为契机,中国电子学会还依托中心成立了电子设计自动化专家委员会,魏少军任第一届委员会主任委员。此次论坛在国内外反响热烈,充分展现了中心凝聚人才、凝聚思想的能力,进一步增强了中心在国际上的影响力。
发布时间: 2016 - 12 - 22
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2016年12月13日,中心举办战略发展圆桌论坛,20余名国际顶级学者汇聚清华园,针对如何建设国际一流的可持续发展的创新中心这一话题,提出自己的建议和意见。与会人员包括来自美国、欧洲、日本、新加坡等国的著名学者,大多具有丰富的创新中心经营管理经验,为中心下一步战略发展出谋划策。
发布时间: 2016 - 12 - 19
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2016年7月29日,北京市财政局教育事业处王华伟处长、北京市教委科研处张宪国处长一行来中心调研,中心副主任邓宁、吴华强就中心发展现状和中心建设思路等方面进行了汇报。王华伟处长和张宪国处长充分肯定了中心卓有成效的工作,并对中心下一步工作进行了指导。
发布时间: 2016 - 08 - 03
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为保障中心可持续发展,学校将润泽办公用房部分区域作为中心办公用房,总面积6000平米。目前中心已完成办公用房二层装修设计及招投标流程,顺利启动施工工作,预计新办公用房将于2017年4月底正式投入使用。
发布时间: 2016 - 02 - 25
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6月2日-6日,第45届国际计算机体系结构大会(International Symposium on Computer Architecture,简称ISCA)在美国洛杉矶召开。清华大学微电子所、中心支持的优秀博士生涂锋斌在会上做了题为《RANA:考虑eDRAM刷新优化的神经网络加速框架》(RANA: Towards Efficient Neural Acceleration with Refresh-Optimized Embedded DRAM)的报告。该研究成果大幅提升了人工智能计算芯片的能量效率。清华微电子所博士生涂锋斌报告现场ISCA是计算机体系结构领域的顶级会议。本次大会共收到378篇投稿,收录64篇论文,录用率仅为16.9%。本文是今年中国唯一被收录的署名第一完成单位的论文。尹首一副教授为本文通讯作者,论文合作者还包括清华大学微电子所魏少军教授和刘雷波教授等。随着人工智能应用中神经网络规模的不断增大,计算芯片的大量片外访存会造成巨大的系统能耗,因此存储优化是人工智能计算芯片设计中必须解决的一个核心问题。可重构研究团队提出一种面向神经网络的新型加速框架:数据生存时间感知的神经网络加速框架(RANA)。RANA框架采用了三个层次的优化技术:数据生存时间感知的训练方法,混合计算模式和支持刷新优化的eDRAM存储器,分别从训练、调度和架构三个层面优化整体系统能耗。实验结果显示...
发布时间: 2018 - 06 - 07
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最近,中心低维量子材料与器件团队实现了99.9%纯度的半导体性碳纳米管水平阵列的稳定制备。这项研究不仅实现了高纯度半导体性碳纳米管的直接制备,为碳纳米管电子学的实际应用铺平了道路,同时也为其它纳米材料的选择性合成提供全新的思路。该项工作以“Growing highly pure semiconducting carbon nanotubes by electrotwisting the helicity”为题,于4月23日在《自然·催化》杂志上在线发表。单壁碳纳米管由于具备纳米尺寸的结构和出色的电学性质,被认为是构筑未来芯片和柔性器件的最佳材料之一。然而,碳纳米管的种类多种多样,不同螺旋度(手性)的碳纳米管的物理性质差异十分巨大。目前直接制备的单壁碳纳米管通常都是金属性和半导体性碳纳米管的混合物,这为碳纳米管在电子学上的实际应用带来了巨大困难。据估计,要想使碳纳米管进入到商业化应用的阶段,一方面要具备非常高的排列密度和良好的品质,另一方面其中的半导体性碳纳米管要具有高达99.9999%纯度。在传统的化学气相沉积合成碳纳米管过程中,催化剂对碳纳米管成核时的手性起了决定性的作用,并且在大多数情况下,碳纳米管的手性在其生长过程中不发生变化。因此,目前催化剂设计已经成为特定手性碳纳米管选择性制备的主流方案。但是另一方面,如果在碳纳米管生长的过程中对其施加一个扰动,则碳纳米管的螺旋...
发布时间: 2018 - 05 - 21
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最近,中心低维量子材料与器件研究团队的博士研究生刘畅、臧运祎、阮威等在导师王亚愚、何珂、薛其坤的指导下,利用分子束外延技术生长了高质量、厚度精密可控的Mn掺杂Bi2Te3拓扑绝缘体薄膜,并系统研究了薄膜厚度、温度以及栅极电压对输运现象的影响。该研究成果以“Dimensional Crossover-Induced Topological Hall Effect in a Magnetic Topological Insulator”为题发表在10月27日的Physical Review Letter上,并且被选为编辑推荐文章(Editors’ Suggestion)。 磁性掺杂拓扑绝缘体中存在着量子反常霍尔效应等一系列新颖的拓扑量子现象,在未来自旋电子学和拓扑量子计算方面也可能有潜在的应用价值。此前人们对该体系的研究主要集中在动量空间的能带拓扑结构,而实际上磁性材料在实空间也可能展现如斯格明子等拓扑结构。 中心低维量子材料与器件研究团队的博士研究生刘畅、臧运祎、阮威等在导师王亚愚、何珂、薛其坤的指导下,利用分子束外延技术生长了高质量、厚度精密可控的Mn掺杂Bi2Te3拓扑绝缘体薄膜,并系统研究了薄膜厚度、温度以及栅极电压对输运现象的影响。霍尔效应的测量结果表明,较厚的三维薄膜(厚度大于等于5个原胞,即5 QL)展现通常铁磁材料具有的反常霍尔效应。然而伴随着材料体...
发布时间: 2017 - 11 - 03
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