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中心成功研发基于阻性存储器件的非易失处理器芯片

日期: 2017-03-03
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 中心成功研发基于阻性存储器件的非易失处理器芯片近期,中心刘勇攀、杨华中教授课题组完成一款基于阻性存储器件的非易失处理器芯片,通过使用垂直堆叠的nvSRAM架构和自动写入终止电路技术,其运行速度提升6倍,唤醒速度达到20ns,均为目前世界研究报道中的最高指标。该项工作发表于2016年度国际固态电路会议ISSCC(International Solid-State Circuits Conference)上。ISSCC是世界上规模最大、水平最高的固态电路国际会议,有“集成电路奥林匹克”之称,该论文是大陆高校本年度唯一入选文章。

 

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