近期，中心刘勇攀、杨华中教授课题组完成一款基于阻性存储器件的非易失处理器芯片，通过使用垂直堆叠的nvSRAM架构和自动写入终止电路技术，其运行速度提升6倍，唤醒速度达到20ns，均为目前世界研究报道中的最高指标。该项工作发表于2016年度国际固态电路会议ISSCC（International Solid-State Circuits Conference）上。ISSCC是世界上规模最大、水平最高的固态电路国际会议，有“集成电路奥林匹克”之称，该论文是大陆高校本年度唯一入选文章。